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育晶论坛第五期学术活动顺利举办

发布日期:2022-11-11   点击量:

11月10日,第五期WilliamHill中文官方网站“育晶论坛”成功举办,国家高层次人才计划入选者、中科院西安光机所研究员宋杰应邀作了题为“蓝宝石衬底上半极性GaN异质外延的研究进展”的学术报告。报告由大平台副教授张雷主持。

图:宋杰研究员作线上报告

报告梳理了非极性和半极性GaN制备及应用的发展历史,指出自从2000年起非极性和半极性GaN就引起了材料和器件科学研究者极大的兴趣,能够有效地解决III族氮化物LED中长期存在的efficiency droop和green gap问题。报告介绍了在蓝宝石图形化衬底上半极性(20-21) GaN异质外延生长的最新研究进展。通过对GaN中层错缺陷的产生机制的深刻理解,利用晶体表面生长动力学的调控,成功消除了在蓝宝石衬底上生长的半极性GaN中的层错,实现了大尺寸无层错半极性GaN的材料制备以及高性能器件的研究工作。

报告结束后,参会师生踊跃发言,围绕图形衬底制备、生长动力学条件以及表面活性剂等对半极性GaN单晶生长影响等方面与宋杰老师进行了深入交流。

图:论坛报告线上会场

为树牢师生创新意识,营造浓厚学术氛围,紧跟学术前沿,把握行业动态,晶体材料国家重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动,每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流,通过线上线下方式面向师生开放。