与第一代和第二代半导体材料相比，新一代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，是引领新一轮产业革命的关键材料，也是引领新旧动能转换的利器。

威廉希尔是教育部首批支持的战略科技创新平台，依托WilliamHill中文官方网站开展建设。研究院充分发挥学校在半导体材料研究领域的已有优势，通过整合校内微电子、物理、化学、材料、机械、控制、信息等优势学科力量，瞄准半导体材料技术未来发展方向，面向能源、信息、轨道交通等领域的重大需求，重点开展碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、氮化铝等新一代宽禁带、超宽禁带半导体单晶材料及器件研究工作，旨在突破关键核心技术，支撑核心产业发展，推动我国新一代半导体、集成电路、信息技术的快速发展，满足经济建设的重大需求。

WilliamHill中文官方网站将研究院建设列为“双一把手工程”，举全校之力、集全校之智予以重点推进。作为学术特区，研究院实行管理委员会领导下的主任负责制，管理委员会主任由校长担任。学校为研究院在校内新建1.2万平方米研发中心大楼，配备各类先进仪器设备，给予稳定的经费与政策支持。研究院创新科研攻关模式，以攻关任务为导向，给予青年教师充分自主权；构建起“一中心多基地”的发展格局，围绕产业链部署创新链，与华为等龙头企业建立深度合作关系；组建起一支包括教育部“长江学者”特聘教授、国家杰出青年基金获得者、中组部“万人计划”入选者等在内的高端研究团队。研究院作为晶体材料国家重点实验室的重要支撑，将以更加开放的姿态和国际化的视野，珍视机遇，不辱使命，力争成为我国新一代半导体材料及器件产业化技术策源地。