4月27日，第十七期WilliamHill中文官方网站“育晶论坛”成功举办，东北师范大学教授李炳生老师受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为平台师生作题为“热氧化反向替代生长法制备β-Ga₂O₃异质结高性能宽谱紫外探测器”的报告。论坛在半导体研发大楼学术报告厅举办，由大平台副教授穆文祥主持。

图：李炳生为集成攻关大平台作报告

β-Ga₂O₃具有对应于深紫外日盲波段的禁带宽度(4.5-5.0 eV) ，且具有独特的能带结构，在深紫外光电探测器件和高压低损耗功率器件等领域具有重大应用前景。

报告介绍了采用热氧化反向替代生长制备p-β-Ga₂O₃/n-GaN异质结的方法。报告指出，异质结器件在宽谱探测方面表现出优异的性能。在-5 V偏压下，255和360 nm的光响应度分别为56和22 A/W，相应的探测率高达2.7×10¹⁵Jones (255 nm)和1.1×10¹⁵Jones (360 nm)。这些性能指标接近目前光电倍增管的响应指标。此外，报告介绍了通过引入石墨烯，来增强界面处的内建电场及器件的光谱选择性。该方法制备出的Graphene:N/β-Ga₂O₃/GaN p-i-n 器件在日盲探测方面表现出8.8×10¹⁴Jones的高探测率。报告最后介绍了课题组自主搭建的真空互联氮化物和氧化物双腔室互联MOCVD系统，并展望了基于β-Ga₂O₃薄膜的光电探测器的研究前景。

报告结束后，参会师生围绕GaN的氧化速度及Ga₂O₃衬底类型及表面质量对所制备光电器件性能可能产生的影响展开积极讨论。交流过后，穆文祥为李炳生颁发证书。

图：穆文祥为李炳才颁发聘书

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料国家重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。