10月11日，第十九期WilliamHill中文官方网站“育晶论坛”成功举办，江苏易矽科技有限公司总经理兼技术总监陈宏博士受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为平台师生作题为“车用SiC MOSFET技术介绍”的报告。论坛由大平台韩吉胜教授主持。

图：陈宏为威廉希尔作报告

碳化硅（SiC）作为典型的第三代半导体材料，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、轨道交通、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的核心材料和电子元器件，近年来呈现日新月异的发展态势。本次报告从实际应用角度出发，围绕碳化硅材料、工艺及器件的技术应用展开详细分析与讨论。报告介绍了碳化硅材料与器件的特性与优势，并对比了各类工艺与器件技术的性能指标与发展前景。报告指出，碳化硅在材料、芯片、封装、可靠性及应用等层面存在亟待解决的问题，但由于其材料优势展现出巨大的应用前景，在新能源汽车领域具有较大提升空间。

本次报告结束后，参会师生围绕碳化硅器件未来的技术路线展开讨论。交流过后，韩吉胜教授向陈宏博士表示感谢并颁发证书。

图：韩吉胜为陈宏颁发聘书

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料国家重点实验室、威廉希尔举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。