11月27日-30日，第九届国际第三代半导体论坛在厦门国际会议中心召开，论坛以“低碳智联同芯共赢”为主题。集成攻关大平台主任徐现刚教授作为论坛首批嘉宾受邀出席盛会，大平台新一代半导体器件团队相关师生受邀参加碳化硅功率器件及其封装技术分论坛。
图：第九届国际第三代半导体论坛会议现场
徐现刚出席碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分论坛，与第三代半导体相关领域的知名专家学者、行业组织领导和企业家们围绕碳化硅行业基础研究、衬底外延工艺、功率半导体器件、下游应用的创新发展，联结产、学、研、用等第三代半导体技术创新及产业发展进行研讨交流，分享前沿技术，共探产业发展的未来趋势。
图：徐现刚教授作为论坛首批嘉宾受邀出席第九届国际第三代半导体论坛
闭幕式期间，论坛举行了“2023年首届企校协同创新大赛特别设立半导体领域专项赛颁奖仪式”以及最佳poster颁奖仪式。集成攻关大平台碳化硅器件功率组硕士研究生张斌在本次会议中获最佳Poster三等奖。获奖Poster题目是Surge Current Failure Mechanism of 4H-SiC Schottky Barrier Diode（张斌1，钟宇1,2，崔鹏1，崔潆心1，徐明升1，Handoko linewih1，韩吉胜1），论文4H-SiC肖特基势垒二极管的浪涌电流失效机理，主要研究了650V SBD的非重复性浪涌电流失效机理，建立了失效数学模型，为提高器件的浪涌电流能力、改善器件结构提供指导。
图：碳化硅器件功率组硕士研究生张斌（左三）获最佳Poster三等奖
图：最佳Poster三等奖证书
第三代半导体论坛是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，作为国际交流平台，论坛已成为国内外第三代半导体产业发展“风向标”。本届论坛通过两场大会、230余个报告，14场主题技术分论坛、7场热点产业峰会、7场工作会议，共计28个专题活动，以及第三代半导体技术应用创新展、POSTER展示交流等多种形式的活动，探讨了大时代背景下半导体应用的无限遐想及实现路径。第三代半导体及相关领域的专家学者以及头部企业、行业组织、投资机构代表出席了此次大会。
