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集成攻关大平台专家受邀参加2023深圳国际电子展览会

发布日期:2023-08-28   点击量:

8月23-25日,作为中国电子产业领域的重要盛事之一的2023年深圳国际电子展览会(ELEXCON)开幕,集成攻关大平台主任徐现刚、教授陈秀芳、副教授杨祥龙等专家应邀参加本次展会,并携团队新产品——8英寸导电型碳化硅衬底亮相。

图:集成攻关大平台主任徐现刚参会现场

图:从左依次为杨祥龙、陈秀芳、徐现刚

杨祥龙博士在深圳国际第三代半导体与应用论坛做题为《八英寸SiC单晶的研究进展》报告。在报告中,杨祥龙提到团队在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得了重大突破,使用物理气相传输法实现了近“零螺位错”密度和低基平面位错密度的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备,其中螺位错密度为0.55 cm-2,基平面位错密度为202 cm-2。8英寸SiC衬底位错缺陷的有效控制,有助于加快国产8英寸导电型衬底的产业化进程,提升市场竞争力。

图:2023年深圳国际电子展览会现场

未来团队将在大尺寸碳化硅衬底领域继续加大投入力度,提升核心竞争能力,立足粤港澳大湾区,力争发展成为全国乃至全球驰名的碳化硅半导体团队。