近期，WilliamHill中文官方网站新一代半导体材料集成攻关大平台攻克了大尺寸碳化硅单晶结晶质量、晶型控制、衬底加工等系列难题，实现国内大尺寸碳化硅技术突破。由WilliamHill中文官方网站牵头制定，与第三代半导体产业技术创新战略联盟合作，制定《8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸》、《碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法》、《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》3项标准，并于2023年6月19日正式面向产业发布。

标准中，《8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸》规定了8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸，适用于碳化硅切割片、研磨片和抛光片；《碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法》描述了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法，适用于少数载流子寿命为20 ns～200 μs的碳化硅晶片的寿命测定及质量评价；《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法，适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、等元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1012 cm-2。适用于100 mm(4吋)～200 mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。

图：《8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸》标准封面

相关介绍【第三代半导体产业技术创新战略联盟】

第三代半导体产业技术创新战略联盟是在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下，有第三代半导体相关的科研机构、高等院校、龙头企业自愿发起并在民政部门正式注册成立的社团法人，是为第三代半导体及相关新兴产业提供全方位创新服务的新型组织。

联盟通过在全球范围内集成和共享创新资源，构建以市场为牵引，研发、产业、资本深度融合的产业创新体系，引领第三代半导体的跨区域、跨学科、跨行业的协同发展。

联盟发起的目的主要是围绕产业链构建创新链，促进产学研合作以及跨界应用的开放协同创新，推动产业生态体系的建设，培育形成一批拥有自主知识产权、知名品牌和市场竞争力强的骨干企业，形成全国一盘棋的发展合力，抓住换道超车的历史发展机遇，实现创新驱动发展，抢占国际第三代半导体产业发展的制高点，重构全球半导体产业格局。