11月15日，第二十二期WilliamHill中文官方网站“育晶论坛”成功举办，俄罗斯南联邦大学纳米技术、电子与设备研究所Evgeny Gusev副教授受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为平台师生作题为“Approach to final polishing of silicon carbide wafers based on electron beam processing”的报告。论坛在半导体研发大楼第一会议室举办，由大平台王希玮副研究员主持。

图：Evgeny Gusev副教授为集成攻关大平台作报告

报告首先从粗糙度和亚表面损伤层的角度讨论了晶圆输出特性和一些具备挑战性的问题。通过描述使用电子束处理（EBP）对碳化硅衬底进行表面处理的方法，报告解释了用于抛光晶圆的电子束加工机理，并生动展示了6H-SiC的电子束加工及其抛光效果的一些经验数据。根据实验获得的结果，报告假设可以仅用一个EBP阶段代替化学机械抛光的几个阶段，并补充介绍了EBP在碳化硅上合成类石墨烯层的实验数据。报告中，参会师生围绕表面加工设备关键参数、电子束加工工艺与模拟仿真原理等问题展开积极讨论。

本次报告结束后，俄罗斯南联邦大学纳米技术、电子与设备研究所Oleg Ageev教授、Evgeny Gusev副教授等一行与集成攻关大平台主任徐现刚展开进一步交流。俄罗斯国家科学院Ageev Oleg院士介绍了俄罗斯南联邦大学的历史人文背景与科研发展情况，并重点介绍了其团队在ZnO材料与器件、碳纳米管制备与应用、神经元探针和MEMS等方向的工作基础。徐现刚主任介绍了集成攻关大平台的研究方向及我院在材料制备与应用方面的优势。双方就以碳化硅与金刚石为代表的新一代半导体材料的应用合作展开了充分讨论，凝聚了高度的合作共识。

图：徐现刚主任（图中）与Oleg Ageev教授（右二）一行合影

交流过后，王希玮副研究员向Evgeny Gusev副教授一行表示感谢并颁发证书。

图：王希玮副研究员为Evgeny Gusev副教授（左二）颁发聘书

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料国家重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。