主讲人：金敏

时间：9月14日10:00-11:00

地点：功能晶体材料楼二楼报告厅

报告摘要

坩埚下降法是一种具有中国特色的晶体生长方法，过去半个多世纪曾在氧化物及卤化物等功能晶体生长方面取得重要研究成果。本报告将主要介绍本人近些年利用坩埚下降法在半导体晶体生长方面的研究与探索，主要包括三方面内容：（1）GaAs半导体晶体生长研究及产业化。本工作打破国外技术垄断，自主研发了一种多坩埚技术，实现了GaAs晶体从实验室到规模化量产的跨越。（2）超塑性InSe半导体晶体研究。本团队研究开发出一种新型柔性InSe化合物半导体晶体，发现其在块体形态下可任意弯折扭曲而不破碎，甚至能够折成“纸飞机”、绕成莫比乌斯环，表现出罕见的塑性变形能力，相关结果近期发表在《Science》期刊上。（3）环境友好型SnSe热电半导体晶体生长及性能研究。与传统Bi2Te3、PbTe和SiGe等热电材料相比，SnSe晶体在低成本以及环境友好等方面引人注目，本工作将介绍几种晶体生长技术创新手段，成功获得了高质量大尺寸的SnSe晶体材料。本报告介绍的相关研究成果对坩埚下降法在半导体晶体生长方面的探索具有一定借鉴和参考价值。