主讲人：陈宏
时间：2023年10月10日（周三）上午9:00
地点：中心校区半导体研发大楼学术报告厅
报告摘要
碳化硅做为宽禁带半导体典型代表，近年来得到飞速的发展。报告从SiC材料生长及器件制备技术进行分享，讨论SiC SBD、MOSFET的特点，并与其他功率器件进行对比，最后对未来的发展进行展望。
个人简介
陈宏，中国科学院大学博士，江苏易矽科技有限公司总经理/技术总监。从事IGBT及SiC功率器件设计研发及产业化10余年，十余款IGBT及SiC芯片已定型量产。承担及参与02专项、重点研发计划、自然基金等项目6项，发表论文10余篇，申请专利30余项。
