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主讲人:陈宏
时间:2023年10月10日(周三)上午9:00
地点:中心校区半导体研发大楼学术报告厅
报告摘要
碳化硅做为宽禁带半导体典型代表,近年来得到飞速的发展。报告从SiC材料生长及器件制备技术进行分享,讨论SiC SBD、MOSFET的特点,并与其他功率器件进行对比,最后对未来的发展进行展望。
个人简介
陈宏,中国科学院大学博士,江苏易矽科技有限公司总经理/技术总监。从事IGBT及SiC功率器件设计研发及产业化10余年,十余款IGBT及SiC芯片已定型量产。承担及参与02专项、重点研发计划、自然基金等项目6项,发表论文10余篇,申请专利30余项。