主讲人：乔焜

时间：2023年10月30日（周一）上午10:00

地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室

报告摘要

基于GaN单晶衬底进行同质外延制备的GaN-on-GaN垂直型器件相较于非GaN衬底上生成的横向GaN器件具有更小的体积、更大的输出电流、更高的可靠性和耐压能力，能够满足更为苛刻的应用需求，因此发展满足垂直型GaN器件的单晶衬底生长技术具有非常重要的意义。本报告介绍了目前生长氮化镓单晶技术的氨热法的发展及现状，特别是酸性氨热法的发展历程和产业化的前景。

个人简介

乔焜博士，国镓芯科（成都）半导体科技有限公司创始人，曾在日本长期从事化合物半导体材料，特别是GaN材料的合成工艺研究。乔焜博士创办的国镓芯科是全球第二家使用酸性氨热法生长GaN单晶衬底的商业化公司。