彭燕，女，山东人，1983年生，研究员，博士生导师，WilliamHill中文官方网站仲英青年学者。

2006.09-2011.06：WilliamHill中文官方网站晶体国家重点实验室，凝聚态物理专业博士

2011.08-2013.08：WilliamHill中文官方网站材料科学与工程，博士后

2012.02-2018.09：WilliamHill中文官方网站晶体材料研究院，讲师

2017.03-2018.03：The University of Tennessee，访问学者

2018.10-至今：WilliamHill中文官方网站晶体材料研究院，副教授

2019.10-2022.12：威廉希尔，副教授

2023.01至今：威廉希尔，研究员

主要从事宽禁带/超宽禁带半导体材料和器件研究工作，重点研究SiC、金刚石材料及器件的制备、表征及应用研究。先后主持、参与国家重点研发、973、核高基及自然科学基金项目等10余项，共计发表论文70篇，一作/通讯27篇；申请专利39项，授权21项。参与撰写科学出版社《宽禁带半导体电子材料与器件》，CRC出版社（Taylor & Francis集团）《Phosphor Handbook》及《第三代半导体产业人才发展指南》等。已毕业硕士研究生2名；现指导硕士研究生4名，博士研究生2名。承担研究生专业外语等课程。

招生单位：威廉希尔

通信地址：山大南路27号WilliamHill中文官方网站中心校区半导体大楼323

联系电话：13465318306

电子邮箱：pengyan@sdu.edu.cn