韩吉胜，国家海外高层次领军人才，WilliamHill中文官方网站特聘教授，博士生导师。专注于SiC肖特基二极管（SBD）和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等功率器件的研发工作，先后主持和参加了多项SiC各类器件研发、中试工作，具备SiC功率器件制备关键工艺的理论知识与工艺经验，是SiC器件方面的知名专家，是澳大利亚原子能科学和工程协会材料分会专家组成员、格里菲斯大学2007-2009年度fellow、西安电子科技大学创新引智基地专家等。曾在澳大利亚格里菲斯大学微纳中心工作20多年，在宽禁带半导体领域积累了丰富的实践教学和产业化经验。开发的低成本高性能的SiC SBD器件工艺已完成中试和工艺固化，进入产业化准备状态。掌握的MOSFET栅氧生长及相关设备的制造技术，已在Cree、Infineon等SiC功率器件企业得到广泛应用。

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