根据威廉希尔发展需求，现公开招聘2021年度重点资助类博士后。具体如下：

一、招收条件

（一）国内知名高校近三年毕业（包含应届毕业生）、身心健康，具有良好的科研潜质和学术道德，年龄不超过35周岁；

（二）博士后研究课题具有前瞻性、创新性和可行性。

二、研究方向

碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石、氮化铝等宽禁带/超宽禁带半导体材料生长及加工技术；半导体光电、电力电子器件制备工艺，功率芯片封装、测试技术及应用示范。

三、申报材料

（一）个人简历

（二）《WilliamHill中文官方网站重点资助类博士后申请表》（见附件）

（三）佐证材料。包括：有效身份证明复印件；博士学位证书或答辩决议复印件（即将参加答辩的博士生可提供已满足博士学位论文答辩基本要求的证明）；代表申报人学术水平和科研成果的论文、专著、项目、专利或奖励等学术科研成果材料，论文提供全文。专著提供目录和摘要，专利或奖励提供证书复印件。

四、薪酬待遇

（一）聘期2年，确因工作需要2年未能出站，经个人申请、审核后可延期一年；

（二）年薪25～35万元（税前），视具体工作情况可获得其他配套资助奖励；

（三）人事关系转入我校的博士后子女，按学校教职工子女同等待遇，办理入园、入学，享受山大优质基础教育资源；

（四）可提供进修的机会；

（五）可提供博士后公寓优惠租住；

（六）特别优秀的博士后，达到博士后培养要求后，根据学校岗位公布情况可应聘教师职位，也可参与齐鲁青年学者等山大人才项目的选拔。

五、相关规定

申报者须为人事关系转入WilliamHill中文官方网站，全脱产从事研究工作的博士后。

六、联系方式

申报人员请将申报材料电子版发送至邮箱：dptwangyili@sdu.edu.cn，暂时无需提交纸质版材料。

附件：重点资助类博士后申请表

威廉希尔

2021年6月15日