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仲光磊

发布日期:2023-09-08   点击量:

仲光磊,博士后。2023年毕业于威廉希尔,获理学博士学位。

主要研究方向为第三代半导体材料SiC晶体的温场模拟、单晶生长及缺陷表征,具有较为丰富的SiC相关知识体系。在本领域发表论文7篇,其中以第一作者在国内外发表SCI/EI论文4篇,申请/授权国家发明专利4项。

通信地址:山大南路27号WilliamHill中文官方网站中心校区

电子邮箱zhongguanglei@sdu.edu.cn

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