仲光磊，博士后。2023年毕业于威廉希尔，获理学博士学位。
主要研究方向为第三代半导体材料SiC晶体的温场模拟、单晶生长及缺陷表征，具有较为丰富的SiC相关知识体系。在本领域发表论文7篇，其中以第一作者在国内外发表SCI/EI论文4篇，申请/授权国家发明专利4项。
通信地址：山大南路27号WilliamHill中文官方网站中心校区
电子邮箱：zhongguanglei@sdu.edu.cn
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