2月17日，第十期WilliamHill中文官方网站“育晶论坛”成功举办，工信部第五研究所高级工程师王宏跃受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为师生作题为“宽禁带半导体器件及封装可靠性研究进展”的报告。论坛在半导体研发大楼第一会议室举办，由大平台教授韩吉胜主持。

图：王宏跃博士为集成攻关大平台作报告

在本次报告中，王宏跃首先对电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室进行了详细介绍，从其研究方向、发展概况、承担科研项目情况、人员组成、解决工程的技术平台、技术方向与能力等方面展开了具体阐述。报告依托实验室成果，主要对宽禁带半导体器件可靠性研究和封装可靠性研究进行了条分缕析地讲解。介绍了车规级分立器件的可靠性要求及相关的测试标准和方法，SiC和GaN器件的失效模式及半导体材料中电学缺陷分析技术手段，结合目前宽禁带半导体器件的应用需求，介绍了其封装中面临的问题及服役可靠性评价方法。

报告结束后，韩吉胜教授对王宏跃老师表示感谢并颁发聘书。参会师生积极提问，王宏跃老师对大家的问题进行细致解答，并且围绕宽禁带半导体器件及封装可靠性研究中的细节展开了深入交流。

图：韩吉胜教授为王宏跃博士颁发聘书

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料国家重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。