3月2日，第十一期WilliamHill中文官方网站“育晶论坛”成功举办，长飞先进半导体有限公司首席科学家刘红超受邀作为本期论坛主讲嘉宾，为师生作题为“碳化硅半导体产业技术挑战”的报告。论坛在半导体研发大楼第一会议室举办，由大平台教授徐现刚主持。

图：刘红超博士为集成攻关大平台作报告

本次报告中，刘红超博士从晶体材料、器件沟道迁移率、可靠性等几个方面介绍了产业技术的现状及其可能的解决路线。报告指出，目前碳化硅功率器件市场被欧洲及美日等国占据，我国虽然在碳化硅衬底方面占有一定份额，但功率器件仍与国外有较大差距。刘博士提出了功率器件的TAMDR表征模型，即厚度（Thickness）、面积（Area）、迁移率（Mobility）、缺陷（Defect）和可靠性（Ruggedness）,并对模型各个指标进行了详细解读。刘博士还全面介绍了平面栅和沟槽栅的优缺点及发展潜力，讲解了激光切割和生长更长的单晶两种降低损耗率的方法，介绍了晶片缺陷来源和对器件性能的影响。

报告结束后，参会师生围绕碳化硅功率器件长期稳定性、可靠性以及TED、TSD、BPD等缺陷对器件性能的影响展开积极讨论。交流过后，徐现刚教授对刘红超老师表示感谢并颁发聘书。

图：徐现刚授为刘红超博士颁发聘书

为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料国家重点实验室、集成攻关大平台决定举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。