主讲人：张纪才

时间：2023年4月20日（周四）下午14:00

地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议

报告摘要

AlN及其合金化合物半导体是深紫外光电子器件和高频大功率微波器件的理想材料。由于AlN本身的物理特性，导致其生长制备比较困难，一般需要较高的生长温度，同时要解决异质外延生长中由于晶格失配和热失配引入的缺陷和应力。报告介绍了本课题组近年来在氢化物气相外延（HVPE）生长AlN半导体材料方面的研究结果，并对蓝宝石衬底上异质外延生长AlN的应力和缺陷控制技术进行了探讨。

个人简介

北京化工大学教授，博士生导师。中国科学院“引进杰出技术人才”，江苏省“企业博士聚集计划（创新类）”，苏州市紧缺高层次人才。中科院半导体研究所博士毕业，先后在以色列理工学院、日本名古屋工业大学、日本三重大学从科研工作，长期从事III族氮化物半导体材料和器件研究。在Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett, ACS AMI, Sci.China Mater.等SCI收录期刊发表论文80余篇，申请国家发明专利20余项。