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主讲人：徐鸣时间：2022年10月27日（周四）下午14：00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议报告摘要超快脉冲功率源技术在超宽带冲激雷达、材料科学、环保等领域有着广泛的...
主讲人：龙世兵时间：2022年10月20日下午14:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议报告摘要氧化镓（Ga2O3）是一种超宽禁带（~4.8 eV）半导体材料，其高击穿场强（~8 MV/cm...
主讲人：祝世宁时间：2022年10月13日14:00地点：中心校区半导体研发大楼学术报告厅、腾讯会议报告摘要铌酸锂晶体是一种有着悠久研究历史的铁电晶体，具有优异的电光、声光和非线性光学性...
主讲人：Sima Dimitrijev时间：2021年6月15日10:00地点：半导体研发大楼第一会议室、腾讯会议报告摘要The key concepts in standard device modeling, such as continuous carrier conce...
主讲人：孙国胜时间：2021年1月20日15:00地点：腾讯会议号 808431584报告摘要宽禁带SiC半导体提供了一个超越传统Si半导体材料极限限制的机会，4H-SiC CVD（化学气相淀积）外延生长是制造...
主讲人：Kuan Yew Cheong时间：1月14日15:00-16:00地点：腾讯会议号 753911587Kuan Yew CheongElectronic Materials Research Group, School of Materials & Mineral Resources Engineer...
主讲人：吴亮时间：11月22日9：30地点：晶体材料研究所101会议室报告摘要The preparation of bulk AlN single crystals with large-size and high-quality has become an urgent request...
主讲人：金敏时间：9月14日10:00-11:00地点：功能晶体材料楼二楼报告厅报告摘要坩埚下降法是一种具有中国特色的晶体生长方法，过去半个多世纪曾在氧化物及卤化物等功能晶体生长方面取得...
主讲人：栾崇彪时间：9月28日日10：30地点：功能晶体材料楼二楼报告厅报告摘要随着先进加速器、四代光源等技术的快速发展，对脉冲功率源提出了更高的要求—固态化、小型化、高重复频率、...
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