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近日，《Journal of Materials Chemistry C》期刊发表了来自WilliamHill中文官方网站新一代半导体材料集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Bandgap engineering and Schottky barrier modulation of ul...
近日，2023年度山东省青年创新团队名单公布，山大推荐的“新一代半导体碳化硅材料及器件应用创新团队”获评2023年度山东省青年创新团队。新一代半导体碳化硅材料及器件应用创新团队发扬...
新年伊始，万象更新。2023年新一代半导体材料集成攻关大平台建设圆满度过第四个年头，这一年大平台有组织科研成效显著，国家重大战略科技任务进展顺利，关键核心技术攻关取得新突破，进...
11月15日至19日，第二十五届中国国际高新技术成果交易会在深圳举办，会议以“激发创新活力提升发展质量”为主题，重点围绕“十四五”规划布局和科技发展重点领域，集聚创新要素，展示海...
8月，集成攻关大平台碳化硅团队合作以“低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备（Fabrication of 8-inch N-type 4H-SiC Single Crystal Substrate with Low Dislocation Density）”为...
7月，威廉希尔功率器件团队和激光团队合作在《Crystals》期刊发表了论文“Fabrication of Ohmic Contact on N-Type SiC by Laser Annealed Process: A Review”, Crystals...
6月，《Journal of Semiconductors》期刊发表来自集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Rapid epitaxy of 2-inch and high-qualityα-Ga2O3films by Mist-CVD method, J. Semicond, 2023...
近期，WilliamHill中文官方网站新一代半导体材料集成攻关大平台攻克了大尺寸碳化硅单晶结晶质量、晶型控制、衬底加工等系列难题，实现国内大尺寸碳化硅技术突破。由WilliamHill中文官方网站牵头制定，与第三代半导体产...
5月，《Journal of Materials Chemistry C》期刊发表了来自WilliamHill中文官方网站新一代半导体材料集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Wide-temperature-resistantsemi-insulatingCo:β-Ga2O3single...
近日，《CrystEngComm》期刊发表了来自WilliamHill中文官方网站新一代半导体材料集成攻关大平台贾志泰教授团队的论文“Growth and characterization of theβ-Ga2O3(011) plane without line-shaped def...
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